但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導(dǎo)線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下，考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對于上述基準(zhǔn)矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場。如果在兩個結(jié)構(gòu)中流動的電流相同，則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場，基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。傳感器線圈的電磁干擾是設(shè)計時需要考慮的問題。防爆傳感器線圈效果

   電感線圈的敏感性要通過使用單獨的前置放大線圈獲得。當(dāng)然，對于弱的磁場，使用者也可以通過增加音量來彌補。但是這樣不太方便，尤其是需要經(jīng)常切換麥克風(fēng)擋和電感擋時。此外，這需要助聽器有足夠的音量保留，同時在獲得足夠的增益時不會引起嘯叫。在電感位置，如果增益太大，也會引起嘯叫。就像聲波從授話器漏回麥克風(fēng)會引起反饋一樣，磁場引起的嘯叫也是從授話器漏回到電感線圈引起的。(三)感應(yīng)線圈回路的頻率響應(yīng)助聽器通過麥克風(fēng)接收到的頻率響應(yīng)與通過感應(yīng)線圈得到的頻率響應(yīng)之間存在著匹配的問題。助聽器的響度通常都通過仔細(xì)的調(diào)整，以適合佩戴者、假沒助聽器在聲音輸入是70dBSPL時和磁場強度是100mA/m時的輸出功率是一樣的話，助聽器佩戴者就可以方便地從麥克風(fēng)擋切換到電感擋，而無需改變音量。然而感應(yīng)線圈回路和助聽器電感系統(tǒng)的頻響有時仍不能令人滿意。但回路響應(yīng)和助聽器電感響應(yīng)結(jié)合時產(chǎn)生的聲音，不能與原來的聲音響應(yīng)區(qū)別太大。只有一個例外，即500Hz以下頻率聲音的減弱，在某些情況下對某些人可能是有利的，因為這個頻率范圍是磁場干擾容易發(fā)生的。但這也是對重度聽力損失的人很重要的頻率范圍。好在多記憶助聽器可以分開調(diào)整麥克風(fēng)和電感的響應(yīng)。燃?xì)鈧鞲衅骶€圈價格工業(yè)傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

    并且由于這種不均勻性，目標(biāo)和rx線圈之間的間隙允許許多磁通量無法正確地被目標(biāo)屏蔽。另一個效果是，pcb底部上的rx線圈部分比pcb的頂部中的對應(yīng)部分捕獲更少的感應(yīng)磁通量。后，允許與控制器芯片連接的rx線圈的出口也產(chǎn)生可感測的偏移誤差。在線性和弧形傳感器中，還存在在傳感器的端部產(chǎn)生巨大的雜散場的強烈效應(yīng)。這后的效應(yīng)是線性和弧形設(shè)計中大多數(shù)誤差的原因。如上所述，線圈設(shè)計的優(yōu)化始于算法700的步驟704中的良好仿真。在迭代中，對算法700的步驟702中所輸入的初始線圈設(shè)計執(zhí)行仿真。根據(jù)一些實施例，仿真包括在意大利烏迪內(nèi)大學(xué)開發(fā)的渦電流求解算法。具體地，仿真算法的示例使用在以下發(fā)表文章中介紹的邊界積分方法(bim)：，“aboundaryintegralmethodforcomputingeddycurrents1nthinconductorsforarbitrarytopology(任意拓?fù)涞谋?dǎo)體中的渦電流計算的邊界積分方法)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(transactionsonmagnetics)，第41卷，第3期，7203904，2015年，其提供非?？焖俚姆抡?25個目標(biāo)位置需要數(shù)十秒)?？梢詫Υ祟愃惴ㄟM行調(diào)整，以仿真pcb上的跡線和感應(yīng)傳感器應(yīng)用。具體地。

    通過角位置來確定線性位置。在角位置定位系統(tǒng)中，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110可以被布置為使得該角位置可以等于關(guān)于金屬目標(biāo)124的旋轉(zhuǎn)的金屬目標(biāo)124的實際角位置。重要的是要注意指示位置定位傳感器100的理想操作的以下條件。在那些條件中，發(fā)射器線圈106的形狀不重要，只要其覆蓋放置接收器線圈104的區(qū)域即可。此外，接收器線圈104的形狀等于完美的幾何重疊的正弦和余弦。另外，金屬目標(biāo)124的形狀對工作原理沒有影響，只要目標(biāo)的區(qū)域覆蓋接收器線圈104的總區(qū)域的一部分即可。理想的一組線圈和理想的金屬目標(biāo)的這些條件從未被滿足。在實際系統(tǒng)中，情況大不相同。非理想性導(dǎo)致金屬目標(biāo)124的位置的確定的不準(zhǔn)確性。導(dǎo)致位置確定的不正確性的問題包括發(fā)射線圈106中生成的電磁場的不均勻；發(fā)射/接收電路102和接收線圈104之間的金屬跡線的連接以及發(fā)射/接收電路102和發(fā)射線圈106之間的金屬跡線的連接，其也對所生成的電磁場有貢獻；金屬目標(biāo)124與安裝有接收線圈104和發(fā)射線圈106的pcb之間的氣隙(ag)；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110之間的幅度偏差；來自正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的接收信號之間的失配；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110中的不同的耦合效應(yīng)。傳感器線圈推薦，無錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎您的光臨！

   根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當(dāng)塊狀導(dǎo)體置于交變磁場或在固定磁場中運動時，導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流，此電流在導(dǎo)體內(nèi)閉合，稱為渦流。電渦流式傳感器，將位移、厚度、材料損傷等非電量轉(zhuǎn)換為電阻抗的變化（或電感、Q值的變化），從而進行非電量的測量。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵線圈和被測金屬體組成。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，當(dāng)傳感器激勵線圈中通過以正弦交變電流時，線圈周圍將產(chǎn)生正選交變磁場，是位于蓋磁場中的金屬導(dǎo)體產(chǎn)生感應(yīng)電流，該感應(yīng)電流又產(chǎn)生新的交變磁場。新的交變磁場阻礙原磁場的變化，使得傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。傳感器線圈受電渦流影響時的等效阻抗Z為式中，ρ為被測體的電阻率；μ為被測體的磁導(dǎo)率；r為線圈與被測體的尺寸因子；f為線圈中激磁電流的頻率；x為線圈與導(dǎo)體間的距離。由此可見，線圈阻抗的變化完全取決于被測金屬的電渦流效應(yīng)，分別與以上因素有關(guān)。如果只改變式中的一個參數(shù)，保持其他參數(shù)不變，傳感器線圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關(guān)，如果測出傳感器線圈阻抗的變化，就可以確定該參數(shù)。在實際應(yīng)用中，通常是改變線圈與導(dǎo)體間的距離x，而保持其他參數(shù)不變，來實現(xiàn)位移和距離測量。二、等效電路討論電渦流式傳感器時。傳感器線圈推薦，無錫東英電子有限公司值得信賴。國產(chǎn)傳感器線圈型號

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    圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個矩形跡線1022的表示可以通過單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來實現(xiàn)?？梢钥闯觯搱雠c一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點相對于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計算為代價將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場的建模誤差減小了一個數(shù)量級。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場。在一些實施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個網(wǎng)格元素)來達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。防爆傳感器線圈效果