Dalicap電容在MRI核磁醫(yī)療影像系統(tǒng)中應用寬泛,與通用醫(yī)療、西門子醫(yī)療、聯(lián)影醫(yī)療等大型醫(yī)療影像設備制造商保持長期合作關系。其產(chǎn)品的高可靠性保證了醫(yī)療影像設備的穩(wěn)定成像和患者安全。公司采用深反應離子刻蝕(DRIE)和原子層沉積(ALD)等前列半導體工藝,實現(xiàn)了電容內(nèi)部三維結構的精確控制,極大地增加了有效電極面積,從而在不增大體積的前提下提升了電容值,并優(yōu)化了電氣性能。Dalicap電容的容值范圍寬廣,覆蓋從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值,滿足了從高頻信號處理到電源管理的多種應用需求。設計師可以在同一平臺上為系統(tǒng)中的不同功能選擇同品牌、同品質(zhì)的電容,簡化了供應鏈管理。價格具有競爭力,為客戶提供了優(yōu)異的性價比。DLC70G1R5BAR802XC
容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢之一。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi),容值變化率小于±0.5%。同時,容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用至關重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力,最高工作溫度可達+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性,避免了因過熱導致的性能退化。這使得它們能夠直接應用于汽車發(fā)動機控制單元(ECU)、航空航天設備的熱敏感區(qū)域,簡化了熱管設計。DLC75A750GW151NT適用于高海拔等特殊環(huán)境,性能穩(wěn)定不易失效。
Dalicap擁有完善的質(zhì)量管理體系,自主完成從關鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設計、工藝實現(xiàn)到設備保證和產(chǎn)品測試評估的全過程。這種垂直整合能力確保了產(chǎn)品的高可靠性、高功率處理能力和低損耗特性,保證了信號傳輸過程中的低損耗,提升了終端設備的效率。在醫(yī)療電子領域,特別是植入式醫(yī)療設備中,Dalicap電容的陶瓷氣密封裝具有極高的生物兼容性和惰性,不會與體液發(fā)生反應。其很好的長期穩(wěn)定性和可靠性確保了這些“生命攸關”的設備能在人體內(nèi)持續(xù)穩(wěn)定工作數(shù)十年,避免了因元件失效而需進行高風險手術更換的情況。
Dalicap秉承 “重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念,建立了完善的質(zhì)量管理體系,自主完成從關鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設計、工藝實現(xiàn)到設備保證和產(chǎn)品測試評估的全過程。公司率先在國內(nèi)建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)線,實現(xiàn)了研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務的自主可控,可以根據(jù)客戶的不同需求提供工業(yè)級以及更高等級的產(chǎn)品。產(chǎn)品通過了嚴峻的環(huán)境可靠性測試,包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質(zhì),使其在關乎生命安全的醫(yī)療植入設備、關乎任務成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中,成為工程師們的優(yōu)先。內(nèi)部結構優(yōu)化,具有良好的散熱性能和耐久性。
Dalicap電容展現(xiàn)出很好的容值穩(wěn)定性,其采用的C0G(NP0)介質(zhì)材料具有極低的溫度系數(shù)(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi),容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值(品質(zhì)因數(shù))特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數(shù)千量級,遠高于普通MLCC,這使得由其構建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中,高Q值確保了信號的高純凈度和頻率穩(wěn)定性,降低了系統(tǒng)誤碼率。在音頻設備中,提供純凈電源,有助于提升音質(zhì)表現(xiàn)。DLC70B1R1CW501XT
品牌信譽卓著,是工程師和采購商信賴的合作伙伴。DLC70G1R5BAR802XC
Dalicap電容的高耐壓特性使其能夠承受較高的工作電壓,確保電路的安全運行。其介質(zhì)材料和結構設計經(jīng)過優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應用中的失效風險,適用于工業(yè)控制和電力系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣計算設備中,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點和通信模塊節(jié)省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命。Dalicap電容的快速響應能力使其能夠為功耗數(shù)百瓦的CPU/GSIC提供瞬時的大電流響應,將電源平面阻抗控制在目標范圍內(nèi),防止芯片因瞬時負載變化而產(chǎn)生的電壓塌陷,保障了高性能計算(HPC)和人工智能(AI)加速器的穩(wěn)定運行。DLC70G1R5BAR802XC
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