NPN 型小功率三極管的 重要價(jià)值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運(yùn)動(dòng)與分配。當(dāng)滿(mǎn)足導(dǎo)通偏置時(shí)，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復(fù)合，被集電結(jié)反向電場(chǎng)拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復(fù)合，需基極提供電流補(bǔ)充空穴，形成基極電流（IB）。此時(shí) IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會(huì)引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時(shí)，IC 會(huì)從 1mA 增至 2mA，實(shí)現(xiàn)電流放大。5V 繼電器驅(qū)動(dòng)，基極電阻選 4.3kΩ，確保 IB=1mA，滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)需求。線(xiàn)下市場(chǎng)特殊封裝NPN型晶體三極管散熱片設(shè)計(jì)

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線(xiàn)是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線(xiàn)。輸出特性曲線(xiàn)通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開(kāi)路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線(xiàn)性增大，此時(shí) IC 達(dá)到飽和值（ICS），三極管相當(dāng)于短路，飽和時(shí)的 VCE 稱(chēng)為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區(qū)常用于開(kāi)關(guān)電路中，實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。醫(yī)療設(shè)備特殊封裝NPN型晶體三極管直插封裝靜態(tài)工作點(diǎn)需通過(guò)偏置電路設(shè)置，確保三極管工作在放大區(qū)。

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過(guò)此電壓，集電結(jié)會(huì)發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿會(huì)通過(guò)基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對(duì)反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管實(shí)際工作時(shí)的電壓不超過(guò)對(duì)應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會(huì)導(dǎo)致三極管損壞。

NPN 型小功率三極管在開(kāi)關(guān)電路中通過(guò) IB 控制工作狀態(tài)：當(dāng) IB=0（或 IB

利用 NPN 型小功率三極管可制作簡(jiǎn)易測(cè)試電路，如電池電量檢測(cè)器：三極管基極通過(guò)電阻接電池正極，發(fā)射極接 LED，集電極接地，當(dāng)電池電壓高于閾值（VB=VBE+VLED≈0.7+2=2.7V）時(shí)，IB>0，三極管導(dǎo)通，LED 點(diǎn)亮；當(dāng)電壓低于 2.7V 時(shí)，IB=0，LED 熄滅。例如檢測(cè) 1.5V 干電池，基極電阻 RB=(1.5-0.7)/10μA=80kΩ，當(dāng)電池電壓≥0.7V 時(shí)，LED 點(diǎn)亮，直觀判斷電池是否有電。此外，還可制作 continuity 測(cè)試儀，通過(guò)三極管放大電流，使蜂鳴器發(fā)聲，檢測(cè)電路通斷。它有三個(gè)極間電容：Cbe、Cbc、Cce，影響高頻性能。線(xiàn)上渠道特殊封裝NPN型晶體三極管機(jī)構(gòu)認(rèn)證

電流源電路用共基電路，低輸入阻抗減負(fù)載影響，高輸出阻抗穩(wěn)電流。線(xiàn)下市場(chǎng)特殊封裝NPN型晶體三極管散熱片設(shè)計(jì)

要使 NPN 型小功率晶體三極管正常工作，必須滿(mǎn)足特定的偏置條件，即發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置是指在基極和發(fā)射極之間施加正向電壓，對(duì)于硅材料的三極管，這個(gè)正向電壓通常在 0.6-0.7V 左右，此時(shí)發(fā)射區(qū)的自由電子在正向電場(chǎng)的作用下，會(huì)大量越過(guò)發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置則是在基極和集電極之間施加反向電壓，該電壓值通常比發(fā)射結(jié)正向電壓大得多，反向電場(chǎng)會(huì)阻止基區(qū)的空穴向集電區(qū)移動(dòng)，同時(shí)能將基區(qū)中未與空穴復(fù)合的自由電子 “拉” 向集電區(qū)。當(dāng)滿(mǎn)足這兩個(gè)偏置條件時(shí)，三極管內(nèi)部會(huì)形成較大的集電極電流，且集電極電流會(huì)隨著基極電流的微小變化而發(fā)生明顯變化，從而實(shí)現(xiàn)電流放大功能。線(xiàn)下市場(chǎng)特殊封裝NPN型晶體三極管散熱片設(shè)計(jì)

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