silane)系偶聯(lián)劑和水,上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外,提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其特征在于,選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進行另外的實驗確認也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外,本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。蘇州BOE蝕刻液公司哪家好?上海京東方用的蝕刻液蝕刻液什么價格
所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為,所述酸的濃度為20重量%至70重量%,所述有機硫化合物的濃度為%至10重量%。另外,所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為%至5重量%。另外,本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外,本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫,因此毒性低,保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實施方式本發(fā)明的蝕刻液為含有選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸與選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物的水溶液。所述酸中,從蝕刻速度的穩(wěn)定性及酸的低揮發(fā)性的觀點來看,推薦為硫酸。酸的濃度并無特別限制,推薦為20重量%至70重量%,更推薦為30重量%至60重量%。在酸的濃度小于20重量%的情況下,有無法獲得充分的鈦蝕刻速度的傾向,在超過70重量%的情況下,有蝕刻液的安全性成問題的傾向。江蘇哪家蝕刻液蝕刻液私人定做「博洋化學」專業(yè)生產(chǎn)蝕刻液廠家,提供一站式服務蝕刻液歡迎咨詢.
etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實施方式本發(fā)明人確認了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化,從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中,蝕刻對象膜可以為氮化物膜,保護對象膜可以為氧化物膜。此外,本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言,本發(fā)明可以包含磷酸、添加劑和水,上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。本發(fā)明的上述添加劑的特征在于,使上述添加劑的反應位點(activesite)的數(shù)量除以上述添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以(參照以下數(shù)學式)滿足。本發(fā)明中,各添加劑的反應位點(activesite)的數(shù)量和添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量的例子示于表3中。此外,由此計算的各添加劑的aeff值和與此有關(guān)的蝕刻程度的例示示于表2中。參照上述結(jié)果,可以確認到上述添加劑的aeff值推薦滿足。
本實用新型涉及一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備。背景技術(shù):鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備主要包括混合罐、過濾器和儲存罐,將蝕刻液中的各組份在混合罐混合均勻,由過濾器濾去雜質(zhì)后投入儲存罐中暫存,然后分裝銷售。以往,鋁蝕刻液的分裝由人工操作,隨著自動化技術(shù)的興起,全自動灌裝線在鋁蝕刻液生產(chǎn)企業(yè)得到廣泛應用,但是,我司的鋁蝕刻液生產(chǎn)車間面積較小,無法放置自動灌裝線,所以需要對現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備進行改造,以實現(xiàn)鋁蝕刻液的全自動灌裝。技術(shù)實現(xiàn)要素:本實用新型提出了一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。為達前述目的,本實用新型提供的技術(shù)方案如下:鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備,包括混合罐、過濾器、數(shù)個儲存罐、數(shù)輛液壓升降式拖車和地磅,所述混合罐通過液管與所述過濾器連接,所述過濾器的出液口處安裝有氣動升降式出液管,每個所述儲存罐固定在對應的拖車頂部,所述儲存罐的進液口和出液口處安裝有單向液動閥,所述地磅位于所述過濾器的下方,所述地磅的頂部設(shè)置有將所述拖車固定的氣動夾緊機構(gòu)。在本技術(shù)方案中,載有空儲存罐的拖車置于地磅上方,過濾器的出液管自動下行插入儲存罐的進液口中,當?shù)匕跛鶞y得的重量達到系統(tǒng)預設(shè)重量時。哪家的蝕刻液的價格優(yōu)惠?
618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專門針對氧化銦錫(ITO)玻璃導電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對于高阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡便靈活等非常***的優(yōu)點,可采取自動控制系統(tǒng)補加,也可人工補加方式。更重要的是絲毫不改變產(chǎn)品的導電阻抗電性數(shù)據(jù)。二、產(chǎn)品特點1)速度快市場之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正常控制在2-10nm/s,速度快(具體設(shè)備情況有所差異)2)氣味小、無煙霧、對皮膚刺激*目前市場蝕刻液一般有強烈之氣味,溫度升高后放出一種刺鼻氣味,對操作人員身體健康和工作環(huán)境極為不利,但KBX-618A酸性蝕刻液采用的是有機活性添加劑3、用于有機基材膜,及各類玻璃底材,不影響生產(chǎn)材料導電阻抗數(shù)據(jù)。不攻擊底材,不攻擊抗蝕膜。KBX-556ITO**褪膜液一、產(chǎn)品簡介KBX-556引進國外配方,采用進口原料,非常規(guī)易燃溶劑,即非有毒醇醚硫等物質(zhì),是采用環(huán)保的極性活性劑,可以有效、快速地去除水溶性干膜,在板面不會留下殘渣。在褪極細線寬線距板時效果尤其明顯,不會攻擊聚酰亞胺,PET,ITO,硅晶體,液晶屏,及弱金屬。銀蝕刻液是適用于OLED行業(yè);深圳市面上哪家蝕刻液配方技術(shù)
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所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動板,所述分隔板右端放置有蓄水箱,所述蓄水箱上端靠近右側(cè)連接有進水管,所述回流管下端連接有抽水管,所述抽水管內(nèi)部上端設(shè)置有三號電磁閥,所述裝置主體前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進一步方案,所述分隔板與承載板相互垂直設(shè)置,所述電解池內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計為5°。作為本發(fā)明的進一步方案,所述進液管的形狀設(shè)計為l型,且進液管貫穿分隔板設(shè)置在進液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進一步方案,所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方,且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進一步方案,所述回流管與進水管的形狀均設(shè)計為l型,所述傾斜板的傾斜角度設(shè)計為10°。作為本發(fā)明的進一步方案,所述活動板前端設(shè)置有握把,活動板與裝置主體之間設(shè)置有鉸鏈,且活動板通過鉸鏈活動安裝在裝置主體前端。作為本發(fā)明的進一步方案,所述控制面板的輸出端分別與增壓泵、一號電磁閥、二號電磁閥和三號電磁閥的輸入端呈電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:該回收處理裝置通過在增壓泵下端設(shè)置有回流管,能夠在蝕刻液電解后,啟動增壓泵并打開一號電磁閥。上海京東方用的蝕刻液蝕刻液什么價格