對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一，請(qǐng)參閱圖1-4，本實(shí)用新型提供技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐14，裝置主體1的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲(chǔ)罐15，磷酸儲(chǔ)罐15的底部固定連接有攪拌倉23，攪拌倉23的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)13，攪拌倉23的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲(chǔ)罐16，裝置主體1的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲(chǔ)罐17，裝置主體1的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18，陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲(chǔ)罐19，裝置主體1的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲(chǔ)罐20。華星光電用的哪家的蝕刻液？綿陽格林達(dá)蝕刻液費(fèi)用

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地，本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液，所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分：20-22份的鹽酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制劑，0.5-3份的表面活性劑，以及水；其中，所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種；所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對(duì)蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進(jìn)行精確限定，以實(shí)現(xiàn)了對(duì)王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控，并在一定程度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35上海ITO蝕刻液蝕刻液銷售廠「博洋化學(xué)」專業(yè)生產(chǎn)蝕刻液廠家,選用環(huán)保型的蝕刻液,產(chǎn)品用的放心!

銅蝕刻液適用于印制版銅的蝕刻，蝕刻速度快。蝕刻速度達(dá)4~5um/min。廢液回收簡(jiǎn)單，用于印制板，線路板。本劑也可用于銅工藝品等的蝕刻。蝕刻后的板面平整而光亮。銅蝕刻液的反應(yīng)速度快、使用溫度低、溶液使用壽命長，后處理容易，對(duì)環(huán)境污染小。用于銅質(zhì)單面板，雙面板、首飾蝕刻，可以蝕刻出任意精美的形態(tài)，有效提高蝕刻速度，節(jié)約人工水電。常常應(yīng)用于印刷線路板銅的蝕刻處理1、蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻速度可達(dá)10微米/分鐘。2、可循環(huán)使用，無廢液排放。1、藍(lán)色透明液體，有氣味。2、比重：1.10~1.13。3、PH值：10~11.0。1、采用浸泡的方法即可，浸泡過程中要攪動(dòng)蝕刻液或移動(dòng)工件。蝕刻溫度為20~40℃，在通風(fēng)排氣處操作，操作時(shí)要蓋好蓋子。2、蝕刻時(shí)間可以根據(jù)蝕刻的深度確定。

618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專門針對(duì)氧化銦錫(ITO)玻璃導(dǎo)電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對(duì)于高阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡(jiǎn)便靈活等非常***的優(yōu)點(diǎn),可采取自動(dòng)控制系統(tǒng)補(bǔ)加,也可人工補(bǔ)加方式。更重要的是絲毫不改變產(chǎn)品的導(dǎo)電阻抗電性數(shù)據(jù)。二、產(chǎn)品特點(diǎn)1)速度快市場(chǎng)之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正?？刂圃?-10nm/s,速度快(具體設(shè)備情況有所差異)2)氣味小、無煙霧、對(duì)皮膚刺激*目前市場(chǎng)蝕刻液一般有強(qiáng)烈之氣味,溫度升高后放出一種刺鼻氣味,對(duì)操作人員身體健康和工作環(huán)境極為不利,但KBX-618A酸性蝕刻液采用的是有機(jī)活性添加劑3、用于有機(jī)基材膜,及各類玻璃底材,不影響生產(chǎn)材料導(dǎo)電阻抗數(shù)據(jù)。不攻擊底材,不攻擊抗蝕膜。KBX-556ITO**褪膜液一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介KBX-556引進(jìn)國外配方,采用進(jìn)口原料,非常規(guī)易燃溶劑,即非有毒醇醚硫等物質(zhì),是采用環(huán)保的極性活性劑,可以有效、快速地去除水溶性干膜,在板面不會(huì)留下殘?jiān)?。在褪極細(xì)線寬線距板時(shí)效果尤其明顯,不會(huì)攻擊聚酰亞胺,PET,ITO,硅晶體,液晶屏,及弱金屬。BOE蝕刻液生產(chǎn)廠家就找蘇州博洋化學(xué)股份。

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號(hào)排液管；18、一號(hào)電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號(hào)排液管；23、二號(hào)電磁閥；24、傾斜板；25、活動(dòng)板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號(hào)電磁閥；30、控制面板。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體1，裝置主體1內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板2，分隔板2左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板3，承載板3上端表面放置有電解池4，電解池4內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜5，裝置主體1上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗6，進(jìn)液漏斗6上設(shè)置有過濾網(wǎng)7，裝置主體1內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管8，進(jìn)液管8左端連接有伸縮管9，伸縮管9下端安裝有噴頭10，裝置主體1上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸11，液壓缸11下端安裝有伸縮桿12。BOE蝕刻液歡迎咨詢蘇州博洋化學(xué)股份。上海銀蝕刻液蝕刻液銷售廠家

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目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料，但是因?yàn)闊o適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運(yùn)用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專注于如何降低導(dǎo)線材料的電阻值。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程。發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一種可以解決上述問題的“銀合金蝕刻液”，幾經(jīng)研究實(shí)驗(yàn)終至完成此項(xiàng)嘉惠世人的發(fā)明。綿陽格林達(dá)蝕刻液費(fèi)用