利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來接收發(fā)射線圈的驅(qū)動電壓和操作頻率。一旦確定了來自發(fā)射線圈的電磁場,在步驟1008中就可以確定由于這些場而在金屬目標中生成的渦電流。根據(jù)渦電流,可以仿真由目標生成的磁場。在步驟1010中,確定由于由發(fā)射線圈生成的場和由金屬目標中的感應渦電流生成的場的組合而在接收器線圈中生成的電壓。在步驟1011中,針對目標的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計算,以評估l相對于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中,存儲響應數(shù)據(jù)以供將來參考。在步驟1014中,算法704進行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成,則算法704進行到步驟1018,在步驟1018處,金屬目標的當前位置遞增,然后進行到步驟1004,在步驟1004處開始對該位置的仿真。如果掃描完成,則算法704進行到步驟1016,在步驟1016處,仿真結(jié)束,并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對線圈的重新配置(在圖7a中,仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計調(diào)整步驟712)應足夠快,以在短時間段內(nèi)測試大量的線圈設(shè)計配置。在通過算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計之前,可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此,存在一些模型簡化,這盡管基本上不影響仿真的準確性。傳感器線圈哪家專業(yè),無錫東英電子有限公司值得信賴,期待您的來電!陜西傳感器線圈直銷

如圖1a所示和上面討論的,發(fā)射器線圈106、接收線圈104和發(fā)射/接收電路102可以被安裝在單個pcb上。此外,pcb可以被定位成使得金屬目標124被定位在接收線圈104上方并且與接收線圈104間隔開特定間隔,即氣隙(ag)。金屬目標124相對于其上安裝接收線圈104和發(fā)射器線圈106的pcb的位置可以通過處理由正弦定向線圈112和余弦定向線圈110生成的信號來確定。下面,描述在理論上理想的條件下對金屬目標124相對于接收線圈104的位置的確定。在圖1b中,金屬目標124位于位置。在該示例中,圖1b和圖2a、圖2b和圖2c描繪線性位置定位器系統(tǒng)的操作。線性定位器和圓形定位器二者的操作原理相同。在下面的討論中,通過提供因線圈110和線圈112和金屬目標124的前緣的位置所引起的關(guān)于正弦定向線圈112的正弦操作的角度關(guān)系,給出關(guān)于余弦定向線圈110和正弦定向線圈112的構(gòu)造的位置。這樣的系統(tǒng)中的金屬目標124的實際位置可以從由接收線圈104的輸出電壓測量到的角位置以及接收線圈110和接收線圈112的拓撲得出。此外,如圖1b所示,線圈110的拓撲和線圈112的拓撲被協(xié)調(diào)以提供對金屬目標124的位置的指示。圖2a示出金屬目標124的0°位置,為了便于說明,余弦定向線圈110和正弦定向線圈112被分開。abs傳感器線圈廠家拿貨價格比例傳感器線圈,無錫東英電子有限公司。

部分314、部分316、部分318和部分320允許余弦定向線圈112覆蓋在pcb上。然而,通孔306和pcb322的相對的兩側(cè)上的跡線302和跡線304的存在降低了由線圈104檢測到的信號的有效幅度。有效地,通孔306在發(fā)射線圈106和信號線圈104之間形成間隙距離,這本身對位置定位系統(tǒng)的準確性有很大的影響。這還與以下相結(jié)合:由于在pcb322的頂側(cè)和底側(cè)上都形成了信號線圈104的跡線,而導致的金屬目標124和pcb322上的信號線圈104之間的有效氣隙的增加。圖3b示出另一個關(guān)于對稱性的問題,其中,發(fā)射線圈106與接收線圈104是不對稱的。在圖3b所示的情況下,接收線圈104不以發(fā)射線圈106為中心,并且形成與接收線圈104和發(fā)射線圈106的連接的跡線也不對稱。圖3c示出由發(fā)射線圈106生成的磁場強度的不均勻性。如圖3c所示,發(fā)射線圈106的兩條跡線位于圖上的位置0和位置5處,而接收線圈104被定位在位置0和位置5之間。圖3c示出這些跡線之間的磁場在兩條跡線之間具有小值。圖3c沒有示出由于連接圖3c中所示的兩條跡線并且垂直于圖3c中所示的跡線的兩條跡線而引起的另外的變形(distortion)。圖3d和圖3e還示出可能由發(fā)射線圈106中的位移引起的不準確性。如圖3d和圖3e所示,發(fā)射線圈106包括位移330。
在圖1b所示的系統(tǒng)中,發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵,以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與接收器線圈(rx)104耦合。如圖1b所示,如果將導電金屬目標124放置在接收器線圈104的上方,則會在金屬目標124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場,該電磁場理想情況下與場108相等并相反,從而抵消了在金屬目標124正下方的接收器線圈104中的場。接收器線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標124感應的場,得到在接收器線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標124的情況下,在rx線圈104(在圖1b中被標記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當金屬目標124相對于rx線圈104被放置在特定位置時,在被金屬目標124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零,因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性,這取決于金屬目標124相對于接收線圈104的位置。rx線圈104以以下方式被設(shè)計:隨著在整個接收器線圈104上掃描金屬目標124,在一個rx線圈(rxsin112)的端子處產(chǎn)生正弦電壓,在另一個rx線圈(rxcos110)的端子處產(chǎn)生余弦電壓。目標相對于rx線圈104的位置調(diào)制在rx線圈104的端子處的電壓的幅度和相位。傳感器線圈的連接方式應確保信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法,其可以提供對由實際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場進行估計的進一步的提高。金屬目標通??梢杂蓪щ姳砻姹硎?。如圖10a所示,算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中,獲得描述tx線圈和rx線圈、目標的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設(shè)計。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供,要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入,要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設(shè)計來提供,如圖7a所示。算法704然后進行到步驟1003。在步驟1003中,算法704以在步驟1002中設(shè)置的頻率參數(shù)計算發(fā)射線圈(tx)的跡線的電阻r和電感l(wèi)。在不存在目標的情況下執(zhí)行計算,以給出品質(zhì)因數(shù)的估計q=2πfl/r。在步驟1004中,設(shè)置參數(shù)以仿真特定線圈設(shè)計的性能和在步驟1002中接收的線圈設(shè)計的氣隙,其中金屬目標如在掃描參數(shù)中定義的被設(shè)置在現(xiàn)行位置。如果這是次迭代,則將現(xiàn)行位置設(shè)置為在步驟1002中接收到的數(shù)據(jù)中所定義的掃描的起點。否則,將位置設(shè)置為掃描中的當前定義的位置。在步驟1006中,確定由發(fā)射線圈生成的電磁場。傳感器線圈的線圈骨架材料對其機械強度有影響。安徽傳感器線圈
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則算法700進行到步驟712。在步驟712中,根據(jù)來自步驟704的仿真結(jié)果和步驟706中的比較來調(diào)整pcb上的線圈的設(shè)計,以提高終設(shè)計的線圈設(shè)計的準確性。在一些實施例中,發(fā)射器線圈設(shè)計保持固定,作為步驟702中的輸入,并且調(diào)整接收器線圈設(shè)計和布局以提高準確性。在一些實施例中,還可以調(diào)整發(fā)射器線圈以提高準確性。圖7a中所示的算法700得到線圈設(shè)計,該線圈設(shè)計用于印刷在具有在步驟702中出現(xiàn)的規(guī)范輸入期間所指定的仿真準確性的印刷電路板上。圖7b示出用于驗證線圈設(shè)計的算法720,該線圈設(shè)計可以是由圖7a中的算法700產(chǎn)生的線圈設(shè)計。如圖7b所示,在步驟722中輸入線圈設(shè)計。線圈設(shè)計可以是較舊的傳統(tǒng)設(shè)計,可以是新設(shè)計,或者可以是由如圖7a所示的算法700產(chǎn)生的。在步驟724,對線圈設(shè)計執(zhí)行仿真。在線圈設(shè)計輸入是由算法700產(chǎn)生的一些情況下,該仿真已在算法700的步驟704中執(zhí)行。否則,執(zhí)行類似的仿真。在步驟726中,在印刷電路板上物理地產(chǎn)生線圈設(shè)計。在步驟728中,例如利用如圖4a和圖4b所示的定位系統(tǒng)400來測量物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計響應。在步驟730中,將來自物理地產(chǎn)生的線圈設(shè)計的測量結(jié)果與來自線圈設(shè)計的仿真結(jié)果進行比較。然后。陜西傳感器線圈直銷