圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線1022的表示可以通過(guò)單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)。可以看出，該場(chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來(lái)表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過(guò)使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來(lái)達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。制作傳感器線圈的材料是什么；空調(diào)傳感器線圈分類

    與用戶交互，并輸出終的線圈設(shè)計(jì)，以產(chǎn)生具有優(yōu)化設(shè)計(jì)的印刷電路板。如圖7a所示，算法700以輸入步驟702開(kāi)始。在步驟702中，輸入線圈設(shè)計(jì)以進(jìn)行優(yōu)化。具體地，輸入發(fā)射線圈和接收線圈的坐標(biāo)、布局和特性，包括與連接節(jié)點(diǎn)、通孔有關(guān)的信息、以及關(guān)于這些線圈的其他參數(shù)。另外，輸入金屬目標(biāo)的設(shè)計(jì)，包括金屬目標(biāo)與線圈之間的氣隙距離。此外，提供所得到的位置定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性的期望規(guī)范。還輸入系統(tǒng)操作參數(shù)(例如，期望驅(qū)動(dòng)發(fā)射線圈的頻率和強(qiáng)度)。一旦在步驟702中將數(shù)據(jù)輸入到算法700，算法700就繼續(xù)到步驟704。圖7c示出指示步驟702的線圈設(shè)計(jì)參數(shù)的輸入的屏幕快照。在步驟704中，仿真在金屬目標(biāo)位于其掃描中的不同位置處時(shí)對(duì)輸入發(fā)射線圈的電力的響應(yīng)。具體地，確定響應(yīng)于由發(fā)射線圈所生成的場(chǎng)而由金屬目標(biāo)生成的場(chǎng)。根據(jù)這些場(chǎng)，仿真當(dāng)前線圈設(shè)計(jì)的接收線圈的響應(yīng)。根據(jù)接收線圈響應(yīng)，將根據(jù)接收線圈響應(yīng)計(jì)算出的金屬目標(biāo)的位置與仿真過(guò)程中設(shè)定的金屬目標(biāo)的位置進(jìn)行比較。在步驟706中，將仿真的位置與金屬目標(biāo)的設(shè)定位置進(jìn)行比較。在步驟708中，如果滿足規(guī)范，則算法700進(jìn)行到步驟710，在步驟710處輸出終的優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)。在步驟708中，如果不滿足規(guī)范。傳感器線圈產(chǎn)品推薦直銷傳感器線圈，無(wú)錫東英電子有限公司。

結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過(guò)處理vcos和vsin的值來(lái)確定角位置。如圖所示，通過(guò)從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來(lái)自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來(lái)確定，如圖2e所示。

    并且由于這種不均勻性，目標(biāo)和rx線圈之間的間隙允許許多磁通量無(wú)法正確地被目標(biāo)屏蔽。另一個(gè)效果是，pcb底部上的rx線圈部分比pcb的頂部中的對(duì)應(yīng)部分捕獲更少的感應(yīng)磁通量。后，允許與控制器芯片連接的rx線圈的出口也產(chǎn)生可感測(cè)的偏移誤差。在線性和弧形傳感器中，還存在在傳感器的端部產(chǎn)生巨大的雜散場(chǎng)的強(qiáng)烈效應(yīng)。這后的效應(yīng)是線性和弧形設(shè)計(jì)中大多數(shù)誤差的原因。如上所述，線圈設(shè)計(jì)的優(yōu)化始于算法700的步驟704中的良好仿真。在迭代中，對(duì)算法700的步驟702中所輸入的初始線圈設(shè)計(jì)執(zhí)行仿真。根據(jù)一些實(shí)施例，仿真包括在意大利烏迪內(nèi)大學(xué)開(kāi)發(fā)的渦電流求解算法。具體地，仿真算法的示例使用在以下發(fā)表文章中介紹的邊界積分方法(bim)：，“aboundaryintegralmethodforcomputingeddycurrents1nthinconductorsforarbitrarytopology(任意拓?fù)涞谋?dǎo)體中的渦電流計(jì)算的邊界積分方法)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(bào)(transactionsonmagnetics)，第41卷，第3期，7203904，2015年，其提供非?？焖俚姆抡?25個(gè)目標(biāo)位置需要數(shù)十秒)?？梢詫?duì)此類算法進(jìn)行調(diào)整，以仿真pcb上的跡線和感應(yīng)傳感器應(yīng)用。具體地。傳感器線圈的安裝位置對(duì)測(cè)量精度至關(guān)重要。

對(duì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)的導(dǎo)線本身發(fā)生的作用，叫做“自感“，即導(dǎo)線自己產(chǎn)生的變化電流產(chǎn)生變化磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)又進(jìn)一步影響了導(dǎo)線中的電流；對(duì)處在這個(gè)電磁場(chǎng)范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號(hào)通過(guò)電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過(guò)；而對(duì)低頻信號(hào)通過(guò)它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號(hào)可以較容易的通過(guò)它。電感線圈對(duì)直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對(duì)于電路中電信號(hào)的流動(dòng)都會(huì)呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對(duì)電流信號(hào)所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時(shí)我們把它簡(jiǎn)稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時(shí)，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。傳感器線圈的輸出信號(hào)需要經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)姆糯筇幚?。汽車電子傳感器線圈資料

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