這些步進(jìn)電機(jī)提供目標(biāo)的4軸運(yùn)動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標(biāo)408，以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標(biāo)408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準(zhǔn)、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標(biāo)408的掃描。如圖4c所示，金屬目標(biāo)408在接收器線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當(dāng)如圖4c所示地掃描金屬目標(biāo)408時從接收器線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標(biāo)408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實(shí)線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。位置定位器系統(tǒng)410的準(zhǔn)確度可以被定義為在金屬目標(biāo)408從初始位置掃描到結(jié)束位置期間的位置的測量與該掃描的預(yù)期理想曲線之間的差。該結(jié)果以相對于全標(biāo)度的百分比表示，如圖5所示。在圖5中，pos0是來自位置定位系統(tǒng)410的測量值，并且輸出擬合是理想曲線。pos0是從控制器402的寄存器測量的值，而fs是全標(biāo)度的值。例如。無錫市制作傳感器線圈的地方；批發(fā)傳感器線圈型號

   電渦流測量原理是一種非接觸式測量原理。這種類型的傳感器特別適合測量快速的位移變化，且無需在被測物體上施加外力。而非接觸測量對于被測表面不允許接觸的情況，或者需要傳感器有超長壽命的應(yīng)用領(lǐng)用意義重大。嚴(yán)格來講，電渦流測量原理應(yīng)該屬于一種電感式測量原理。電渦流效應(yīng)源自振蕩電路的能量。而電渦流需要在可導(dǎo)電的材料內(nèi)才可以形成。給傳感器探頭內(nèi)線圈提供一個交變電流，可以在傳感器線圈周圍形成一個磁場。如果將一個導(dǎo)體放入這個磁場，根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，導(dǎo)體內(nèi)會激發(fā)出電渦流。根據(jù)楞茲定律，電渦流的磁場方向與線圈磁場正好相反，而這將改變探頭內(nèi)線圈的阻抗值。而這個阻抗值的變化與線圈到被測物體之間的距離直接相關(guān)。傳感器探頭連接到控制器后，控制器可以從傳感器探頭內(nèi)獲得電壓值的變化量，并以此為依據(jù)，計(jì)算出對應(yīng)的距離值。電渦流測量原理可以運(yùn)用于所有導(dǎo)電材料。由于電渦流可以穿透絕緣體，即使表面覆蓋有絕緣體的金屬材料，也可以作為電渦流傳感器的被測物體。獨(dú)特的圈式繞組設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn)傳感器外形緊湊的同時，可以滿足其運(yùn)轉(zhuǎn)于高溫測量環(huán)境的要求。所有德國米銥的電渦流傳感器都可以承受有灰塵，潮濕，油污和壓力的測量環(huán)境。盡管如此。福建傳感器線圈廠家拿貨價格傳感器線圈的線圈在長時間使用后可能會發(fā)生老化。

    它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側(cè)面之間。如圖8a和圖8b進(jìn)一步所示，接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818，其允許余弦定向線圈804的導(dǎo)線跡線從pcb的一側(cè)過渡到另一側(cè)。類似地，正弦定向線圈806包括通孔820，其允許在pcb的側(cè)面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個特征是阱808、810和812的增加，這些阱進(jìn)一步補(bǔ)償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設(shè)計(jì)800中所示，提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804，并設(shè)置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此外，可以提供通孔822和通孔824，使得阱808和阱812的跡線可以分別在pcb的任一側(cè)上。阱808、阱810和阱812可以例如補(bǔ)償由于發(fā)射線圈802生成的場中的不均勻性而引起的接收線圈804和接收線圈806中的偏差。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的另一種線圈設(shè)計(jì)。與線圈設(shè)計(jì)800所示的線性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線圈設(shè)計(jì)900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線圈設(shè)計(jì)900中所示，發(fā)射線圈902、余弦定向接收線圈904和正弦定向接收器線圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線圈902包括具有引線920的變形部分916。

    可以替代地修改余弦接收線圈，并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個接收器線圈中的通孔比另一個接收器線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計(jì)的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中。雙向傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

在實(shí)際工作中，一般不進(jìn)行這種檢測，進(jìn)行線圈的通斷檢查和Q值的大小判斷。[1]可先利用萬用表電阻檔測量線圈的直流電阻，再與原確定的阻值或標(biāo)稱阻值相比較，如果所測阻值比原確定阻值或標(biāo)稱阻值增大許多，甚至指針不動（阻值趨向無窮大X）可判斷線圈斷線；若所測阻值極小，則判定是嚴(yán)重短路或者局部短路是很難比較出來。這兩種情況出現(xiàn)，可以判定此線圈是壞的，不能用。如果檢測電阻與原確定的或標(biāo)稱阻值相差不大，可判定此線圈是好的。此種情況，我們就可以根據(jù)以下幾種情況，去判斷線圈的質(zhì)量即Q值的大小。線圈的電感量相同時，其直流電阻越小，Q值越高；所用導(dǎo)線的直徑越大，其Q值越大；若采用多股線繞制時，導(dǎo)線的股數(shù)越多，Q值越高；線圈骨架（或鐵芯）所用材料的損耗越小，其Q值越高。例如，高硅硅鋼片做鐵芯時，其Q值較用普通硅鋼片做鐵芯時高；線圈分布電容和漏磁越小，其Q值越高。例如，蜂房式繞法的線圈，其Q值較平繞時為高，比亂繞時也高；線圈無屏蔽罩，安裝位置周圍無金屬構(gòu)件時，其Q值較高，相反，則Q值較低。屏蔽罩或金屬構(gòu)件離線圈越近，其Q值降低越嚴(yán)重；對有磁芯的的位置要適當(dāng)安排合理；天線線圈與振蕩線圈應(yīng)相互垂直，這就避免了相互耦合的影響。?？梢陨a(chǎn)傳感器線圈的廠家有哪些？防爆傳感器線圈優(yōu)勢

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因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。批發(fā)傳感器線圈型號