光控晶閘管：通過(guò)光照度觸發(fā)導(dǎo)通，具有很強(qiáng)的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點(diǎn)：體積小、效率高、壽命長(zhǎng)。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷。無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音。但靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)包括：額定電壓（V_RRM）：晶閘管能夠承受的比較大反向重復(fù)峰值電壓。額定電流（I_T(RM)）：晶閘管能夠承受的比較大通態(tài)平均電流。熱阻（R_thja）：表示晶閘管結(jié)溫與環(huán)境溫度之間熱阻的參數(shù)。晶閘管的主要特點(diǎn)是能夠在觸發(fā)后保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到電流降到一定值以下。工業(yè)園區(qū)本地晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

當(dāng)運(yùn)行點(diǎn)到達(dá)控制范圍的**右端，節(jié)點(diǎn)電壓進(jìn)一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來(lái)補(bǔ)償，因?yàn)門CR的電抗器已經(jīng)處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，所以運(yùn)行點(diǎn)將沿著對(duì)應(yīng)電抗器全導(dǎo)通(α=90°)的特性曲線向上移動(dòng)，此時(shí)補(bǔ)償器運(yùn)行在過(guò)負(fù)荷范圍，超過(guò)此范圍后，觸發(fā)控制將設(shè)置～個(gè)電流極限以防止晶閘管閥因過(guò)電壓而損壞。在特性曲線的左側(cè)，如果節(jié)點(diǎn)電壓過(guò)分降低，補(bǔ)償器就會(huì)達(dá)到發(fā)出極限，運(yùn)行點(diǎn)將會(huì)落在欠電壓特性上 [1]。一個(gè)6脈波的三相TCR由3個(gè)單相的TCR按三角形聯(lián)結(jié)連接而成。如果三相電壓是平衡的，3個(gè)電抗器是相的，而且所有晶閘管是對(duì)稱觸發(fā)的，即每相的觸發(fā)角相同，那么在正半波和負(fù)半波中就會(huì)出現(xiàn)對(duì)稱的電流脈沖，因而只產(chǎn)生奇次諧波。姑蘇區(qū)智能晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v。

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，它的有效電抗可以連續(xù)變化。基本的單相TCR由反并聯(lián)的一對(duì)晶閘管閥T1、T2與一個(gè)線性的空心電抗器相串聯(lián)組成。反并聯(lián)的一對(duì)晶閘管就像一個(gè)雙向開關(guān)，晶閘管閥T1在供電電壓的正半波導(dǎo)通，而晶閘管閥T2在供電電壓的負(fù)半波導(dǎo)通。晶閘管的觸發(fā)角以其兩端之間電壓的過(guò)零點(diǎn)時(shí)刻作為計(jì)算的起點(diǎn)，觸發(fā)信號(hào)的延遲角在90°~180°范圍內(nèi)變化 [1]。原理

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過(guò)集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來(lái)的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中占據(jù)著舉足輕重的地位，其獨(dú)特的開關(guān)特性和控制功能使其在多個(gè)領(lǐng)域中展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。晶閘管（Thyristor），也被稱為可控硅整流器或簡(jiǎn)稱可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR），是一種大功率、可以控制其導(dǎo)通和截止的半導(dǎo)體器件。以下是對(duì)晶閘管的詳細(xì)介紹：導(dǎo)通與關(guān)斷：晶閘管在施加觸發(fā)信號(hào)后會(huì)導(dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，必須通過(guò)降低電流來(lái)關(guān)斷。

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽(yáng)極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與電源和負(fù)載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連接，組成普通晶閘管的控制電路。  普通晶閘管的工作條件：  高電壓和大電流：晶閘管能夠承受高電壓和大電流，適合用于電力控制。工業(yè)園區(qū)本地晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

控制方式：通過(guò)控制觸發(fā)信號(hào)的時(shí)機(jī)，可以調(diào)節(jié)輸出電壓和電流。工業(yè)園區(qū)本地晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。  6. ug、ig：控制極觸發(fā)電壓和電流  在室溫下， 陽(yáng)極電壓為直流 6v 時(shí)，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的**小控制極直流電壓、電流 。一般ug為 1~5v，ig 為幾十到幾百毫安。普通晶閘管的主要缺點(diǎn)：過(guò)流、過(guò)壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很?。阂坏┻^(guò)流，溫度急劇上升，器件被燒壞。  普通晶閘管承受過(guò)電壓的能力極差：電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。正向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。  工業(yè)園區(qū)本地晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

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