激光二極管的結(jié)構(gòu)隨著技術(shù)和工藝的發(fā)展,目前實(shí)際使用的半導(dǎo)體激光二極管具有復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)。圖2為日本三洋公司的紅光半導(dǎo)體激光二極管的結(jié)構(gòu)。圖3為小功率激光管剖視圖,由圖可見,激光芯片貼在用來散熱的熱沉上,在管座上靠近激光芯片下部封有PIN光電二極管圖4為普通激光二極管的外形,由圖可見,小功率激光管有三條引腳,這是因?yàn)樵诠軆?nèi)還封裝有一個(gè)光電二極管,用于監(jiān)控激光管工作電流。3.半導(dǎo)體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關(guān)用的激光管波長有635nm650nm70nm690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等(2)值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的...
同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調(diào)制器的單芯片光源也在發(fā)展中。研制成功的電吸收調(diào)制器集成光源,采用有源層與調(diào)制器吸收層共用多QW結(jié)構(gòu)。調(diào)制器的作用如同一個(gè)高速開關(guān),把LD輸出變換成二進(jìn)制的0和1。在一塊芯片上形成40種不同的折射光柵,波長1530--1590nm的40路調(diào)制器集成光源,信道間隔為200GHz。其開發(fā)目標(biāo)是集成100個(gè)發(fā)射波長的LD陣列,以進(jìn)行9.5THz超大容量的通信。VCESLVCESL(垂直腔面發(fā)射激光)二極管的特點(diǎn)如下:從其頂部發(fā)射出圓柱形射束,射束無需進(jìn)行不對(duì)稱矯正或散光矯正,即可調(diào)制成用途***的環(huán)形光束,易與光纖耦合;轉(zhuǎn)換效率非常高,功耗*為邊緣發(fā)射LD...
激光二極管本質(zhì)上是一個(gè)半導(dǎo)體二極管,按照PN結(jié)材料是否相同,可以把激光二極管分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)(SH)、雙異質(zhì)結(jié)(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點(diǎn),是目前市場應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點(diǎn),但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應(yīng)用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號(hào)。在雙向光接收機(jī)的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。當(dāng)激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時(shí),發(fā)光機(jī)制主要是自發(fā)放射,光譜分散較廣,頻寬大約在100到500埃之間。原裝...
如果激光二極管通過放大得到的增益(Gain)高于內(nèi)部損耗和磁鏡損耗,則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值。比較大輸出受到扭折(電流-光輸出直線的折彎)、COD(端面光破壞)、溫度引起的熱飽和等的限制。測量激光二極管的光輸出時(shí)使用光功率計(jì)。如下圖所示,設(shè)置受光面時(shí),使激光的所有光束都入射到光功率計(jì)的受光面上。將受光面相對(duì)光軸傾斜5~20°,以避免來自光功率計(jì)受光面的反射光返回到激光二極管。I-L特性表示正向電流 (IF) 和光輸出 (PO) 的關(guān)系,可讀取閾值電流 (Ith) 和工作電流 (Iop) 。監(jiān)視電流 (Im) 是用內(nèi)置的光電二極管監(jiān)視從激光芯片后面射出的激光時(shí)的輸出電流。激光二極管是上世紀(jì)...
主要種類編輯DFB-LDF-P(法布里-珀羅)腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品,向高可靠低價(jià)化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定,依賴沿整個(gè)有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結(jié)構(gòu)光柵進(jìn)行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導(dǎo)體晶層,一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導(dǎo)區(qū)。這種波紋狀結(jié)構(gòu)使光波導(dǎo)區(qū)的折射率呈周期性分布,其作用就像一個(gè)諧振控,波長選擇機(jī)構(gòu)是光柵。利用QW材料尺寸效應(yīng)和DFB光柵的選模作用,所激射出的光的譜線很寬,在高速率調(diào)制下可動(dòng)態(tài)單縱模輸出。內(nèi)置調(diào)制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機(jī)小型、低功耗的要求。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調(diào)制...