晶圓切割是半導(dǎo)體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結(jié)合主動冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以內(nèi)，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經(jīng)濟高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層，通過擴張膜實現(xiàn)無應(yīng)力分離。該技術(shù)消除機械切割導(dǎo)致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。中清航科真空吸附晶圓托盤，解決超薄晶圓切割變形難題。金華芯片晶圓切割刀片

半導(dǎo)體制造對潔凈度要求嚴苛，晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效HEPA過濾系統(tǒng)，工作區(qū)域潔凈度達到Class1標準，同時配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置，實時清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒，使產(chǎn)品不良率降低至0.1%以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在，中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片，使用壽命較行業(yè)平均水平延長50%，且通過刀片磨損實時監(jiān)測與自動補償技術(shù)，減少頻繁更換帶來的停機損失，幫助客戶降低20%的耗材成本，在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。湖州碳化硅陶瓷晶圓切割8小時連續(xù)切割驗證：中清航科設(shè)備溫度波動≤±0.5℃。

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細結(jié)構(gòu)和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量，以及整個過程的效率。為了實現(xiàn)這些目標，目前已經(jīng)開發(fā)了多種切割技術(shù)，每種技術(shù)都有其獨特的優(yōu)點和缺點。

晶圓切割的主要目標之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個關(guān)鍵性能指標，因為它直接影響電子器件生產(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準確性需要確保每個芯片按照設(shè)計規(guī)格分離，尺寸和對準的變化小。這種精度對于在終設(shè)備中實現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機械穩(wěn)定性至關(guān)重要。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā)，復(fù)雜芯片布局切割時間縮短35%。

磷化銦（InP）光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù)，切割面垂直度達89.5°±0.2°，側(cè)壁粗糙度Ra<20nm，插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設(shè)備運行數(shù)據(jù)（振動/電流/溫度），AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠程AR指導(dǎo)維修，MTTR（平均修復(fù)時間）縮短至45分鐘，服務(wù)覆蓋全球36國?；谖^(qū)X射線衍射技術(shù)，中清航科繪制切割道殘余應(yīng)力三維分布圖（分辨率10μm），提供量化改進方案?？蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次（+300%），滿足車規(guī)級AEC-Q104認證。中清航科切割機節(jié)能模式降低功耗40%，年省電費超15萬元。金華藍寶石晶圓切割廠

中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。金華芯片晶圓切割刀片

晶圓切割設(shè)備是用于半導(dǎo)體制造中，將晶圓精確切割成單個芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率，以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標準。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等，這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如，切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度，空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外，設(shè)備的電源類型、電源電壓等也是重要的考慮因素，它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍?，F(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備，具備較高的切割能力（Ф135X6），空載轉(zhuǎn)速達到2280rpm，電源電壓為380V，適用于多種切割需求。金華芯片晶圓切割刀片