面向磁傳感器制造,中清航科開發(fā)超導磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場(0.5T)下懸浮,消除機械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價值超$80萬,回收水符合SEMIF78標準,實現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。切割機預(yù)測性維護平臺中清航科上線,關(guān)鍵部件壽命預(yù)警準確率99%。上海碳化硅半導體晶圓切割刀片

面對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域化布局趨勢,中清航科建立了覆蓋亞洲、歐洲、北美地區(qū)的本地化服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。其7×24小時在線技術(shù)支持團隊,可通過遠程診斷系統(tǒng)快速定位設(shè)備故障,配合就近備件倉庫,將平均故障修復時間(MTTR)控制在4小時以內(nèi),確保客戶生產(chǎn)線的連續(xù)穩(wěn)定運行。綠色制造已成為半導體行業(yè)的發(fā)展共識,中清航科在晶圓切割設(shè)備的設(shè)計中融入多項節(jié)能技術(shù)。其研發(fā)的變頻激光電源,能源轉(zhuǎn)換效率達到92%,較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%的能耗;同時采用水循環(huán)冷卻系統(tǒng),水資源回收率達95%以上,幫助客戶實現(xiàn)環(huán)保指標與生產(chǎn)成本的雙重優(yōu)化?;窗菜{寶石晶圓切割寬度中清航科等離子切割技術(shù)處理氮化鎵晶圓,熱影響區(qū)減少60%。

高速切割產(chǎn)生的局部高溫易導致材料熱變形。中清航科開發(fā)微通道冷卻刀柄技術(shù),在刀片內(nèi)部嵌入毛細管網(wǎng),通過相變傳熱將溫度控制在±1℃內(nèi)。該方案解決5G毫米波芯片的熱敏樹脂層脫層問題,切割穩(wěn)定性提升90%。針對2.5D/3D封裝中的硅中介層(Interposer)切割,中清航科采用階梯式激光能量控制技術(shù)。通過調(diào)節(jié)脈沖頻率(1-200kHz)與焦點深度,實現(xiàn)TSV(硅通孔)區(qū)域低能量切割與非TSV區(qū)高效切割的協(xié)同,加工效率提升3倍。傳統(tǒng)刀片磨損需停機檢測。中清航科在切割頭集成光纖傳感器,實時監(jiān)測刀片直徑變化并自動補償Z軸高度。結(jié)合大數(shù)據(jù)預(yù)測模型,刀片利用率提升40%,每年減少停機損失超200小時。
對于高價值的晶圓產(chǎn)品,切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng),每片晶圓進入設(shè)備后都會生成單獨的二維碼標識,全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結(jié)果等信息,可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù),為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面,中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制,開發(fā)出激光倒角技術(shù)。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理,倒角半徑可精確控制在5-50μm范圍內(nèi),有效減少邊緣應(yīng)力集中,提高晶圓的機械強度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。中清航科晶圓切割機支持物聯(lián)網(wǎng)運維,故障響應(yīng)速度提升60%。

中清航科注重與科研機構(gòu)的合作創(chuàng)新,與國內(nèi)多所高校共建半導體切割技術(shù)聯(lián)合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術(shù)開展研究,如原子層切割、超高頻激光切割等,已申請發(fā)明專利50余項,其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發(fā)明專利金獎,推動行業(yè)技術(shù)進步。晶圓切割設(shè)備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心,中清航科自主開發(fā)了切割控制軟件,具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入,可自動生成切割路徑,同時提供離線編程功能,可在不影響設(shè)備運行的情況下完成新程序的編制與模擬,提高設(shè)備利用率。切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發(fā),雜質(zhì)濃度自動控制<1ppm。金華碳化硅陶瓷晶圓切割刀片
中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證,量產(chǎn)經(jīng)驗足。上海碳化硅半導體晶圓切割刀片
隨著Chiplet技術(shù)的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng),采用氣浮導軌與光柵尺閉環(huán)控制,定位精度達到±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進行實時校準,確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過0.5μm,為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導體設(shè)備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求,定制專屬切割方案,如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導體企業(yè)完成定制化項目交付。上海碳化硅半導體晶圓切割刀片