隨著Chiplet技術(shù)的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導體設(shè)備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務。其技術(shù)團隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業(yè)完成定制化項目交付。中清航科多軸聯(lián)動切割頭，適應曲面晶圓±15°傾角加工。湖州碳化硅線晶圓切割代工廠

為滿足汽車電子追溯要求，中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數(shù)數(shù)字指紋（含切割速度、溫度、振動數(shù)據(jù)），直通客戶MES系統(tǒng)，實現(xiàn)零缺陷溯源。面向下一代功率器件，中清航科開發(fā)等離子體輔助切割（PAC）。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料，同步機械分離，切割效率較傳統(tǒng)方案提升5倍，成本降低60%。邊緣失效區(qū)（EdgeExclusionZone）浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統(tǒng)通過AI識別有效電路邊界，定制化切除輪廓，使8英寸晶圓可用面積增加2.1%，年省材料成本數(shù)百萬。無錫晶圓切割企業(yè)晶圓切割全流程追溯系統(tǒng)中清航科開發(fā)，實現(xiàn)單芯片級質(zhì)量管理。

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長刀片壽命200小時以上呢。

大規(guī)模量產(chǎn)場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線，集成自動上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺設(shè)備每小時可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。晶圓切割機預防性維護中清航科定制套餐，設(shè)備壽命延長5年。

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領(lǐng)域仍占據(jù)重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發(fā)的切割設(shè)備，兼顧效率與性價比。設(shè)備采用雙主軸并行切割設(shè)計，每小時可加工40片8英寸晶圓，且通過優(yōu)化機械結(jié)構(gòu)降低振動噪聲至65分貝以下，為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境，深受中小半導體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉(zhuǎn)型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數(shù)，通過邊緣計算節(jié)點進行實時分析，生成工藝優(yōu)化建議?？蛻艨赏ㄟ^云端平臺查看生產(chǎn)報表與趨勢分析，實現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細化管理。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證，量產(chǎn)經(jīng)驗足。杭州晶圓切割刀片

12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸，良率99.3%。湖州碳化硅線晶圓切割代工廠

晶圓切割設(shè)備是用于半導體制造中，將晶圓精確切割成單個芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率，以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標準。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等，這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如，切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度，空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外，設(shè)備的電源類型、電源電壓等也是重要的考慮因素，它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍?，F(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備，具備較高的切割能力（Ф135X6），空載轉(zhuǎn)速達到2280rpm，電源電壓為380V，適用于多種切割需求。湖州碳化硅線晶圓切割代工廠