中清航科開(kāi)放6條全自動(dòng)切割產(chǎn)線,支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來(lái)料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時(shí)追蹤進(jìn)度,平均交貨周期48小時(shí),良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光(脈寬400fs)配合氦氣保護(hù),在銅-硅界面形成納米級(jí)熔融區(qū),剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺(tái),收錄3000+材料參數(shù)組合??蛻糨斎刖A類型/厚度/目標(biāo)良率,自動(dòng)生成比較好參數(shù)包,工藝開(kāi)發(fā)周期縮短90%。中清航科切割道檢測(cè)儀實(shí)時(shí)反饋數(shù)據(jù),動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。揚(yáng)州芯片晶圓切割寬度

中清航科兆聲波清洗技術(shù)結(jié)合納米氣泡噴淋,去除切割道深槽內(nèi)的微顆粒。流體仿真設(shè)計(jì)使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結(jié)構(gòu),殘留物<5ppb,電鏡檢測(cè)達(dá)標(biāo)率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務(wù):通過(guò)云平臺(tái)監(jiān)控耗材使用狀態(tài),按實(shí)際切割長(zhǎng)度計(jì)費(fèi)??蛻鬋APEX(資本支出)降低40%,并享受技術(shù)升級(jí),實(shí)現(xiàn)輕資產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。中清航科VirtualCut軟件構(gòu)建切割過(guò)程3D物理模型,輸入材料參數(shù)即可預(yù)測(cè)崩邊尺寸、應(yīng)力分布。虛擬調(diào)試功能將新工藝驗(yàn)證周期從3周壓縮至72小時(shí),加速客戶產(chǎn)品上市。中清航科綠色切割方案:冷卻液循環(huán)利用率達(dá)95%,激光系統(tǒng)能耗降低30%(對(duì)比行業(yè)均值)。碳足跡追蹤平臺(tái)量化每片晶圓加工排放,助力客戶達(dá)成ESG目標(biāo),已獲ISO14064認(rèn)證。麗水砷化鎵晶圓切割企業(yè)中清航科晶圓切割機(jī)支持物聯(lián)網(wǎng)運(yùn)維,故障響應(yīng)速度提升60%。

中清航科為晶圓切割設(shè)備提供全生命周期的服務(wù)支持,從設(shè)備安裝調(diào)試、操作人員培訓(xùn)、工藝優(yōu)化指導(dǎo)到設(shè)備升級(jí)改造,形成完整的服務(wù)鏈條。建立客戶服務(wù)檔案,定期進(jìn)行設(shè)備巡檢與性能評(píng)估,根據(jù)客戶的生產(chǎn)需求變化提供定制化的升級(jí)方案,確保設(shè)備始終保持先進(jìn)的技術(shù)水平。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更多新興領(lǐng)域滲透,晶圓切割的應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展。中清航科積極布局新興市場(chǎng),開(kāi)發(fā)適用于可穿戴設(shè)備芯片、柔性電子、生物芯片等領(lǐng)域的切割設(shè)備。例如,針對(duì)柔性晶圓的切割,采用低溫冷凍切割技術(shù),解決柔性材料切割時(shí)的拉伸變形問(wèn)題,為新興半導(dǎo)體應(yīng)用提供可靠的制造保障。
在半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代的浪潮中,中清航科始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新,中心技術(shù)100%自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化量產(chǎn),不僅擺脫對(duì)進(jìn)口部件的依賴,還將設(shè)備交付周期縮短至8周以內(nèi),較進(jìn)口設(shè)備縮短50%,為客戶搶占市場(chǎng)先機(jī)提供有力支持。展望未來(lái),隨著3nm及更先進(jìn)制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動(dòng)下一代原子級(jí)精度切割技術(shù)的研發(fā),計(jì)劃通過(guò)量子點(diǎn)標(biāo)記與納米操控技術(shù),實(shí)現(xiàn)10nm以下的切割精度,同時(shí)布局晶圓-封裝一體化工藝,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。晶圓切割機(jī)預(yù)防性維護(hù)中清航科定制套餐,設(shè)備壽命延長(zhǎng)5年。

晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無(wú)損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo),因?yàn)樗苯佑绊戨娮悠骷a(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個(gè)芯片的成本更造能力更大,制造商更能滿足不斷增長(zhǎng)的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過(guò)程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個(gè)芯片按照設(shè)計(jì)規(guī)格分離,尺寸和對(duì)準(zhǔn)的變化小。這種精度對(duì)于在終設(shè)備中實(shí)現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。晶圓切割MES系統(tǒng)中清航科定制,實(shí)時(shí)追蹤每片切割工藝參數(shù)。衢州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割
晶圓切割后清洗設(shè)備中清航科專利設(shè)計(jì),殘留顆粒<5個(gè)/片。揚(yáng)州芯片晶圓切割寬度
中清航科動(dòng)態(tài)線寬控制系統(tǒng)利用實(shí)時(shí)共焦傳感器監(jiān)測(cè)切割槽形貌,通過(guò)AI算法自動(dòng)補(bǔ)償?shù)毒吣p導(dǎo)致的線寬偏差(精度±0.8μm)。該技術(shù)使12英寸晶圓切割道均勻性提升至97%,芯片產(chǎn)出量增加5.3%,年節(jié)省材料成本超$150萬(wàn)。針對(duì)消費(fèi)電子量產(chǎn)需求,中清航科開(kāi)發(fā)多光束并行切割引擎。6路紫外激光(波長(zhǎng)355nm)通過(guò)衍射光學(xué)元件分束,同步切割效率提升400%,UPH突破300片(12英寸),單顆芯片加工成本下降至$0.003。先進(jìn)制程芯片的低k介質(zhì)層易在切割中剝落。中清航科采用局部真空吸附+低溫氮?dú)饽患夹g(shù),在切割區(qū)形成-30℃微環(huán)境,結(jié)合納米涂層刀具,介質(zhì)層破損率降低至0.01ppm,通過(guò)3nm芯片可靠性驗(yàn)證。揚(yáng)州芯片晶圓切割寬度