為提升芯片產(chǎn)出量，中清航科通過刀片動態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場，配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒，潔凈度達(dá)Class1標(biāo)準(zhǔn)（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI（自動光學(xué)檢測）模塊，采用多光譜成像技術(shù)實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級判定，不良品自動標(biāo)記，避免后續(xù)封裝資源浪費，每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護(hù)層技術(shù)，結(jié)構(gòu)完整率99%。麗水碳化硅線晶圓切割寬度

晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗積累，中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng)，基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù)，系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù)，新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝水平，大幅降低技術(shù)門檻。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對設(shè)備的占地面積有著嚴(yán)格要求，中清航科采用緊湊型設(shè)計理念，將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在2平方米以內(nèi)，較傳統(tǒng)設(shè)備減少40%。在有限空間內(nèi)，通過巧妙的結(jié)構(gòu)布局實現(xiàn)全部功能集成，同時預(yù)留擴(kuò)展接口，方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊，滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。鹽城藍(lán)寶石晶圓切割劃片廠晶圓切割機(jī)預(yù)防性維護(hù)中清航科定制套餐，設(shè)備壽命延長5年。

中清航科為晶圓切割設(shè)備提供全生命周期的服務(wù)支持，從設(shè)備安裝調(diào)試、操作人員培訓(xùn)、工藝優(yōu)化指導(dǎo)到設(shè)備升級改造，形成完整的服務(wù)鏈條。建立客戶服務(wù)檔案，定期進(jìn)行設(shè)備巡檢與性能評估，根據(jù)客戶的生產(chǎn)需求變化提供定制化的升級方案，確保設(shè)備始終保持先進(jìn)的技術(shù)水平。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更多新興領(lǐng)域滲透，晶圓切割的應(yīng)用場景不斷拓展。中清航科積極布局新興市場，開發(fā)適用于可穿戴設(shè)備芯片、柔性電子、生物芯片等領(lǐng)域的切割設(shè)備。例如，針對柔性晶圓的切割，采用低溫冷凍切割技術(shù)，解決柔性材料切割時的拉伸變形問題，為新興半導(dǎo)體應(yīng)用提供可靠的制造保障。

半導(dǎo)體晶圓的制造過程制造過程始于一個大型單晶硅的生產(chǎn)（晶錠），制造方法包括直拉法與區(qū)熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長。一旦晶錠生產(chǎn)出來，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達(dá)到鏡面般的光滑，確保在后續(xù)制造工藝中表面無缺陷。接著，晶圓會經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復(fù)雜圖案。這些圖案在多個層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過程完成后，晶圓經(jīng)過晶圓切割分離出單個芯片，芯片會被封裝并測試，集成到電子器件和系統(tǒng)中。中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍，單刀切割達(dá)500片。

隨著Chiplet技術(shù)的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級定位切割系統(tǒng)，采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制，定位精度達(dá)到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進(jìn)行實時校準(zhǔn)，確保切割道位置與設(shè)計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團(tuán)隊會深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項目交付。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業(yè)工藝升級。紹興晶圓切割刀片

5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。麗水碳化硅線晶圓切割寬度

磷化銦（InP）光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù)，切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°，側(cè)壁粗糙度Ra<20nm，插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)（振動/電流/溫度），AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠(yuǎn)程AR指導(dǎo)維修，MTTR（平均修復(fù)時間）縮短至45分鐘，服務(wù)覆蓋全球36國?；谖^(qū)X射線衍射技術(shù)，中清航科繪制切割道殘余應(yīng)力三維分布圖（分辨率10μm），提供量化改進(jìn)方案?？蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次（+300%），滿足車規(guī)級AEC-Q104認(rèn)證。麗水碳化硅線晶圓切割寬度