流片周期的長(zhǎng)短直接影響產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，中清航科通過(guò)流程優(yōu)化與資源調(diào)度，打造出行業(yè)的快速流片能力。針對(duì)成熟制程，建立 “綠色通道” 服務(wù)，將傳統(tǒng) 10 - 12 周的流片周期縮短至 6 - 8 周，其中掩膜版制作環(huán)節(jié)通過(guò)與掩膜廠(chǎng)的聯(lián)合加急，實(shí)現(xiàn) 72 小時(shí)快速交付。在晶圓生產(chǎn)階段，利用多晶圓廠(chǎng)資源池，根據(jù)客戶(hù)需求靈活調(diào)配產(chǎn)能，當(dāng)主供晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能緊張時(shí)，48 小時(shí)內(nèi)可切換至備用晶圓廠(chǎng)，確保流片計(jì)劃不受影響。為讓客戶(hù)實(shí)時(shí)掌握進(jìn)度，開(kāi)發(fā)了流片進(jìn)度可視化平臺(tái)，通過(guò)甘特圖直觀(guān)展示各環(huán)節(jié)進(jìn)度，關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)完成后自動(dòng)推送通知，同時(shí)支持客戶(hù)在線(xiàn)查詢(xún)晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)與良率報(bào)告。去年某客戶(hù)的 5G 芯片因市場(chǎng)需求緊急，中清航科啟動(dòng)加急流片服務(wù)，將原本 8 周的周期壓縮至 5 周，幫助客戶(hù)提前搶占市場(chǎng)。中清航科流片含AEC-Q104認(rèn)證輔導(dǎo)，周期縮短至8周。臺(tái)積電 110nm流片代理均價(jià)

中清航科的流片代理服務(wù)實(shí)現(xiàn)了全渠道服務(wù)支持，客戶(hù)可通過(guò)電話(huà)、郵件、在線(xiàn)客服、移動(dòng)端 APP 等多種渠道獲取服務(wù)。其客戶(hù)服務(wù)團(tuán)隊(duì)實(shí)行 7×24 小時(shí)值班制度，確?？蛻?hù)的問(wèn)題能得到及時(shí)響應(yīng)，普通問(wèn)題 1 小時(shí)內(nèi)給出解決方案，復(fù)雜問(wèn)題 4 小時(shí)內(nèi)成立專(zhuān)項(xiàng)小組處理。通過(guò)客戶(hù)滿(mǎn)意度調(diào)查，不斷優(yōu)化服務(wù)流程與服務(wù)質(zhì)量，客戶(hù)滿(mǎn)意度持續(xù)保持在 95% 以上，重復(fù)合作率達(dá)到 80%。對(duì)于需要進(jìn)行低軌衛(wèi)星芯片流片的客戶(hù)，中清航科提供抗輻射流片代理服務(wù)。其與具備抗輻射工藝能力的晶圓廠(chǎng)合作，熟悉總劑量輻射、單粒子效應(yīng)等空間環(huán)境對(duì)芯片的影響，能為客戶(hù)提供抗輻射加固設(shè)計(jì)建議、工藝參數(shù)選擇等專(zhuān)業(yè)服務(wù)。在流片過(guò)程中，實(shí)施特殊的工藝控制，如增加氧化層厚度、采用特殊的摻雜工藝等，提高芯片的抗輻射能力。已成功代理多個(gè)低軌衛(wèi)星通信芯片的流片項(xiàng)目，產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的輻射測(cè)試，滿(mǎn)足衛(wèi)星在軌運(yùn)行 10 年以上的要求。SMIC MPW流片代理推薦廠(chǎng)家中清航科跨境流片代理，處理全部進(jìn)出口許可文件。

流片代理服務(wù)中的供應(yīng)鏈金融支持是中清航科為客戶(hù)提供的增值服務(wù)。與多家銀行合作，為客戶(hù)提供流片訂單融資服務(wù)，客戶(hù)可憑中清航科的流片訂單獲得較高 70% 的訂單金額融資，解決流片過(guò)程中的資金周轉(zhuǎn)問(wèn)題。針對(duì)質(zhì)優(yōu)客戶(hù)，還可提供應(yīng)收賬款保理服務(wù)，將應(yīng)收賬款的賬期從 90 天縮短至 30 天，加速資金回籠。去年通過(guò)供應(yīng)鏈金融服務(wù)，為客戶(hù)提供融資支持超過(guò) 2 億元，有效緩解了客戶(hù)的資金壓力。針對(duì)存儲(chǔ)芯片的流片需求，中清航科組建了存儲(chǔ)芯片團(tuán)隊(duì)。該團(tuán)隊(duì)熟悉 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 等存儲(chǔ)器件的流片工藝，能為客戶(hù)提供存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)、冗余電路布局、測(cè)試方案設(shè)計(jì)等專(zhuān)業(yè)服務(wù)。通過(guò)與存儲(chǔ)芯片專(zhuān)業(yè)晶圓廠(chǎng)合作，共同解決存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)速度、功耗、可靠性等關(guān)鍵問(wèn)題，使存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)速度提升 10%，功耗降低 15%。已成功代理多個(gè)嵌入式存儲(chǔ)芯片的流片項(xiàng)目，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

成本控制是流片代理服務(wù)的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一，中清航科通過(guò)規(guī)模效應(yīng)與技術(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)成本精確管控。其整合行業(yè)內(nèi) 800 余家設(shè)計(jì)公司的流片需求，形成規(guī)?；少?gòu)優(yōu)勢(shì)，單批次流片成本較企業(yè)單獨(dú)采購(gòu)降低 18% - 25%。在掩膜版制作環(huán)節(jié)，中清航科與全球掩膜廠(chǎng)合作開(kāi)發(fā)共享掩膜方案，將中小客戶(hù)的掩膜成本分?jǐn)偨档?60% 以上。對(duì)于試產(chǎn)階段的小批量流片，推出多項(xiàng)目晶圓（MPW）拼片服務(wù)，支持同一晶圓上集成 20 - 50 個(gè)不同設(shè)計(jì)方案，使客戶(hù)的首輪流片成本控制在 10 萬(wàn)元以?xún)?nèi)。此外，其成本核算團(tuán)隊(duì)會(huì)為每個(gè)項(xiàng)目提供詳細(xì)的成本分析報(bào)告，明確各項(xiàng)費(fèi)用構(gòu)成，并給出成本優(yōu)化建議，幫助客戶(hù)在保證質(zhì)量的前提下實(shí)現(xiàn)效益較大化。中清航科提供IP復(fù)用流片方案，掩膜成本再降25%。

在流片文件的標(biāo)準(zhǔn)化處理方面，中清航科擁有成熟的轉(zhuǎn)換體系。不同晶圓廠(chǎng)對(duì) GDSII、OASIS 等文件格式的要求存在差異，其自主開(kāi)發(fā)的文件轉(zhuǎn)換工具可實(shí)現(xiàn)一鍵適配，自動(dòng)檢測(cè)并修正圖層、尺寸偏差等問(wèn)題。針對(duì)先進(jìn)制程中的 OPC（光學(xué)鄰近校正）要求，技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)進(jìn)行專(zhuān)項(xiàng)優(yōu)化，確保掩膜版制作的準(zhǔn)確性，減少因文件格式問(wèn)題導(dǎo)致的流片延誤。中清航科的流片代理服務(wù)具備全球化布局優(yōu)勢(shì)，在北美、歐洲、亞洲設(shè)立三大區(qū)域中心，可就近響應(yīng)客戶(hù)需求。對(duì)于海外設(shè)計(jì)公司需要國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)流片的場(chǎng)景，其能提供跨境物流、關(guān)稅減免等配套服務(wù)，通過(guò)與海關(guān)的 AEO 認(rèn)證合作，將晶圓進(jìn)出口清關(guān)時(shí)間縮短至 24 小時(shí)。同時(shí)支持多幣種結(jié)算與本地化服務(wù)，消除跨國(guó)流片的溝通障礙。選擇中清航科流片，贈(zèng)送晶圓探針測(cè)試500點(diǎn)。SMIC 180流片代理

中清航科提供車(chē)規(guī)級(jí)流片代理，滿(mǎn)足AEC-Q100 Grade1認(rèn)證。臺(tái)積電 110nm流片代理均價(jià)

流片成本控制是設(shè)計(jì)企業(yè)關(guān)注的中心問(wèn)題，中清航科通過(guò)規(guī)模采購(gòu)與工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化。其整合行業(yè)內(nèi) 500 余家設(shè)計(jì)公司的流片需求，形成規(guī)?；少?gòu)優(yōu)勢(shì)，單批次流片費(fèi)用較企業(yè)單獨(dú)采購(gòu)降低 15-20%。同時(shí)通過(guò)多項(xiàng)目晶圓（MPW）拼片服務(wù)，將小批量試產(chǎn)成本分?jǐn)傊炼鄠€(gè)客戶(hù)，使初創(chuàng)企業(yè)的首輪流片成本降低 60%，加速產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化。流片過(guò)程中的工藝參數(shù)優(yōu)化直接影響芯片性能，中清航科組建了由 20 位工藝工程師組成的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，平均擁有 15 年以上晶圓廠(chǎng)工作經(jīng)驗(yàn)。在流片前會(huì)對(duì)客戶(hù)的 GDSII 文件進(jìn)行多方面審查，重點(diǎn)優(yōu)化光刻對(duì)準(zhǔn)精度、蝕刻深度均勻性等關(guān)鍵參數(shù)，確保芯片電性能參數(shù)偏差控制在設(shè)計(jì)值的 ±5% 以?xún)?nèi)。針對(duì)射頻芯片等特殊品類(lèi)，還可提供定制化的工藝參數(shù)庫(kù)，保障高頻性能達(dá)標(biāo)。臺(tái)積電 110nm流片代理均價(jià)