中清航科設備搭載AI參數推薦引擎,通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化,將工藝調試時間從48小時縮短至2小時,快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大,傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術(LIPS),通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理,切割速度達200mm/s,崩邊<10μm,滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯動精度±5μm,兼容SECS/GEM協議實現MES系統(tǒng)對接。模塊化設計支持產能彈性擴展,單線UPH(每小時產能)提升至120片,人力成本降低70%。超窄街切割方案中清航科實現30μm道寬,芯片數量提升18%。上海sic晶圓切割企業(yè)
中清航科的晶圓切割設備通過了多項國際認證,包括 CE、FCC、UL 等,符合全球主要半導體市場的準入標準。設備設計嚴格遵循國際安全規(guī)范與電磁兼容性要求,可直接出口至歐美、日韓等地區(qū),為客戶拓展國際市場提供設備保障。在晶圓切割的刀具校準方面,中清航科創(chuàng)新采用激光對刀技術。通過高精度激光束掃描刀具輪廓,自動測量刀具直徑、刃口角度等參數,并與標準值對比,自動計算補償值,整個校準過程只需 3 分鐘,較傳統(tǒng)機械對刀方式提升效率 80%,且校準精度更高。浙江藍寶石晶圓切割刀片晶圓切割后清洗設備中清航科專利設計,殘留顆粒<5個/片。
磷化銦(InP)光子晶圓易產生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術,切割面垂直度達89.5°±0.2°,側壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實時回傳設備運行數據(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內定位故障根因。遠程AR指導維修,MTTR(平均修復時間)縮短至45分鐘,服務覆蓋全球36國?;谖^(qū)X射線衍射技術,中清航科繪制切割道殘余應力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進方案??蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次(+300%),滿足車規(guī)級AEC-Q104認證。
在半導體設備國產化替代的浪潮中,中清航科始終堅持自主創(chuàng)新,中心技術 100% 自主可控。其晶圓切割設備的關鍵部件如激光發(fā)生器、精密導軌、控制系統(tǒng)等均實現國產化量產,不僅擺脫對進口部件的依賴,還將設備交付周期縮短至 8 周以內,較進口設備縮短 50%,為客戶搶占市場先機提供有力支持。展望未來,隨著 3nm 及更先進制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動下一代原子級精度切割技術的研發(fā),計劃通過量子點標記與納米操控技術,實現 10nm 以下的切割精度,同時布局晶圓 - 封裝一體化工藝,為半導體產業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領域。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證,量產經驗足。
中清航科ESG解決方案:設備內置能源管理模塊,智能調節(jié)激光功率與主軸轉速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告,助力客戶達成碳中和目標,已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時加熱至150℃軟化金層,剝離風險下降90%,剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng):通過LIBS(激光誘導擊穿光譜)在線分析顆粒元素構成,自動推薦冷卻液配方調整方案。幫助客戶減少因金屬污染導致的芯片失效,良率提升1.2%。晶圓切割應急服務中清航科24小時響應,備件儲備超2000種。溫州碳化硅晶圓切割企業(yè)
采用中清航科激光隱形切割技術,晶圓分片效率提升40%以上。上海sic晶圓切割企業(yè)
在晶圓切割設備的自動化升級浪潮中,中清航科走在行業(yè)前列。其新推出的智能切割單元,可與前端光刻設備、后端封裝設備實現無縫對接,通過 SECS/GEM 協議完成數據交互,實現半導體生產全流程的自動化閉環(huán)。該單元還具備自我診斷功能,能提前預警潛在故障,將非計劃停機時間減少 60%,為大規(guī)模生產提供堅實保障。對于小尺寸晶圓的切割,傳統(tǒng)設備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設計了針對 2-6 英寸小晶圓的切割工作站,采用多工位旋轉工作臺,可同時處理 8 片小晶圓,切割效率較單工位設備提升 4 倍。配合特制的彈性吸盤,能有效避免小晶圓吸附時的損傷,特別適合 MEMS 傳感器、射頻芯片等小批量高精度產品的生產。上海sic晶圓切割企業(yè)